Transistor de canal N SPW11N80C3, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt. IDss (min): 0.5uA. Id(im): 33A. Marcação na caixa: 11N80C3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54