Transistor de canal N SPP11N80C3, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 11A. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Função: ID pulse 33A. Id(im): 33A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Cool Mos. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54