Transistor de canal N SPP11N60S5, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1460pF. Custo): 610pF. Diodo Trr (mín.): 650ms. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt. IDss (min): 25uA. Id(im): 22A. Marcação na caixa: 11N60S5. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 130 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3.5V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54