Transistor de canal N STP11NM80, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1630pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 750pF. Diodo Trr (mín.): 612 ns. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. IDss (min): 10uA. Id(im): 44A. Marcação na caixa: P11NM80. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: MDmesh MOSFET. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24