Transistor de canal N SPP11N60C3, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1200pF. Custo): 390pF. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt. IDss (min): 0.1uA. Id(im): 33A. Marcação na caixa: 11N60C3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54