Transistor de canal N FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Transistor de canal N FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.86€
5-24
3.45€
25-49
3.11€
50-99
2.83€
100+
2.45€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 9

Transistor de canal N FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1148pF. Custo): 671pF. Diodo Trr (mín.): 390 ns. Função: ID pulse 33A. IDss (min): 1uA. Id(im): 33A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 119 ns. Td(ligado): 34 ns. Tecnologia: SuperFET MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:19

Documentação técnica (PDF)
FCP11N60
28 parâmetros
DI (T=100°C)
7A
DI (T=25°C)
11A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.32 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
1148pF
Custo)
671pF
Diodo Trr (mín.)
390 ns
Função
ID pulse 33A
IDss (min)
1uA
Id(im)
33A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
125W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
119 ns
Td(ligado)
34 ns
Tecnologia
SuperFET MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Fairchild

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