Transistor de canal N SPD08N50C3, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 560V. C (pol.): 750pF. Custo): 350pF. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema. IDss (min): 0.5uA. Id(im): 22.8A. Marcação na caixa: 08N50C3. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30