Transistor de canal N STD10NM60N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.53 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 540pF. Custo): 44pF. Diodo Trr (mín.): 315 ns. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema. IDss (min): 1uA. Id(im): 32A. Marcação na caixa: 10NM60N. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54