Transistor de canal N SPB80N04S2-H4, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 3.4M Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 4480pF. Custo): 1580pF. Diodo Trr (mín.): 195 ns. Função: ‘Modo de aprimoramento’. IDss (min): 0.01uA. Id(im): 320A. Marcação na caixa: 2N04H4. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30