Transistor de canal N STB120N4F6, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 3.5m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 3850pF. Custo): 650pF. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Função: Aplicações de comutação, Automotivo. IDss (min): 1uA. Id(im): 320A. Marcação na caixa: 120N4F6. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: STripFET™ VI Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54