Transistor de canal N SI4800BDY-T1-E3, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 0.0155 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Função: Comutação rápida, MOSFET de potência. IDss (min): 1uA. Id(im): 40Ap. Marcação na caixa: 4800B. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30