Transistor de canal N FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v
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Transistor de canal N FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v. Carcaça: SO. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 19m Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 475pF. Cobrar: 13nC. Corrente de drenagem: 8.5A. Custo): 100pF. Diodo Trr (mín.): 33 ns. IDss (min): 1uA. Id(im): 40A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de saídas: 1. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. Polaridade: unipolar. Potência: 2.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 5 ns. Tecnologia: MOSFET, PowerTrench®. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 30V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41