Transistor de canal N RFD3055LESM, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 12A. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 850pF. Custo): 170pF. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Função: controle de nível lógico, proteção ESD. Marcação na caixa: F3055L. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. Proteção GS: diodo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Mosfet de potência em modo de aprimoramento. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Harris. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30