Transistor de canal N IRFR024N, D-PAK ( TO-252 ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 370pF. Cobrar: 13.3nC. Corrente de drenagem: 16A. Custo): 140pF. Diodo Trr (mín.): 56 ns. IDss (min): 25uA. Id(im): 68A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Polaridade: unipolar. Potência: 38W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 3.3K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45