Transistor de canal N Q67042-S4113, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v

Transistor de canal N Q67042-S4113, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-4
6.83€
5-24
6.21€
25-49
5.74€
50+
5.28€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 6

Transistor de canal N Q67042-S4113, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 5M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2930pF. Custo): 1150pF. Diodo Trr (mín.): 50 ns. IDss (min): 0.1uA. Id(im): 380A. Marcação na caixa: 2N03L04. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 188W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54

Documentação técnica (PDF)
Q67042-S4113
30 parâmetros
DI (T=25°C)
80A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
5M Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
2930pF
Custo)
1150pF
Diodo Trr (mín.)
50 ns
IDss (min)
0.1uA
Id(im)
380A
Marcação na caixa
2N03L04
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
188W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Enhancement mode, Logic Level
Td(desligado)
54 ns
Td(ligado)
13 ns
Tecnologia
Cool Mos
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1.2V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies

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