Transistor de canal N IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v

Transistor de canal N IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v

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5-24
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Transistor de canal N IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 2.5m Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 5110pF. Cobrar: 36nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 150A. Custo): 960pF. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Função: UPS, Conversor CC/CC. IDss (min): 1uA. Id(im): 620A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. Polaridade: unipolar. Potência: 140W. Propriedades do semicondutor: Nível Lógico. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: High Frequency Synchronous. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 30V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
IRLB8743PBF
39 parâmetros
Carcaça
TO-220
DI (T=100°C)
100A
DI (T=25°C)
150A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
2.5m Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
5110pF
Cobrar
36nC
Condicionamento
tubus
Corrente de drenagem
150A
Custo)
960pF
Diodo Trr (mín.)
29 ns
Função
UPS, Conversor CC/CC
IDss (min)
1uA
Id(im)
620A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
140W
Polaridade
unipolar
Potência
140W
Propriedades do semicondutor
Nível Lógico
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
High Frequency Synchronous
Td(desligado)
25 ns
Td(ligado)
23 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão da fonte de drenagem
30V
Tensão de fonte de porta
±20V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.35V
Vgs(th) mín.
1.35V
Produto original do fabricante
International Rectifier