Transistor de canal N P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Transistor de canal N P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.38€
5-24
1.19€
25-49
1.00€
50-99
0.92€
100+
0.81€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 430

Transistor de canal N P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 50A. On-resistência Rds On: 15m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 1200pF. Custo): 600pF. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 150A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Niko-semi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30

Documentação técnica (PDF)
P50N03LD
26 parâmetros
DI (T=100°C)
35A
DI (T=25°C)
50A
Idss
25uA
Idss (máx.)
50A
On-resistência Rds On
15m Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252 ( D-PAK )
Tensão Vds(máx.)
20V
C (pol.)
1200pF
Custo)
600pF
Diodo Trr (mín.)
70 ns
Função
Modo de aprimoramento de nível lógico
Id(im)
150A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
50W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
40 ns
Td(ligado)
6 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Niko-semi

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