Transistor de canal N IPD50N03S2L-06, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 27uA. On-resistência Rds On: 7.6m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1900pF. Custo): 760pF. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Função: Logic Level, Enhancement mode. IDss (min): 0.01uA. Id(im): 200A. Marcação na caixa: PN03L06. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00