Transistor de canal N P50N03A-SMD, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). DI (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (máx.): 50A. On-resistência Rds On: 5.1M Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 (D2PAK). C (pol.): 2780pF. Custo): 641pF. Diodo Trr (mín.): 34 ns. Id(im): 100A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 59.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Niko-semi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30