Transistor de canal N IRFZ44N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Transistor de canal N IRFZ44N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.16€
5-24
0.97€
25-49
0.85€
50-99
0.77€
100+
0.66€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 126

Transistor de canal N IRFZ44N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0175 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1470pF. Custo): 360pF. Diodo Trr (mín.): 63us. Função: Ultra Low On-Resistance. IDss (min): 25uA. Id(im): 160A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 94W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11

Documentação técnica (PDF)
IRFZ44N
29 parâmetros
DI (T=100°C)
35A
DI (T=25°C)
49A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.0175 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
1470pF
Custo)
360pF
Diodo Trr (mín.)
63us
Função
Ultra Low On-Resistance
IDss (min)
25uA
Id(im)
160A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
94W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
44 ns
Td(ligado)
12 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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