Transistor de canal N IRFZ48N, TO-220, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220AB, 55V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 32A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1970pF. Cobrar: 54nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 64A. Custo): 470pF. Diodo Trr (mín.): 68 ns. Função: Ultra Low On-Resistance. IDss (min): 25uA. Id(im): 210A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. Polaridade: unipolar. Potência: 94W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 1.6K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:13