Transistor de canal N IRFZ34N, TO-220, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220AB, 55V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 29A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 700pF. Cobrar: 22.7nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 26A. Custo): 240pF. Diodo Trr (mín.): 57 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 100A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. Polaridade: unipolar. Potência: 56W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 2.7K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 31 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11