Transistor de canal N IRFP460APBF, TO-247, 500V, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V

Transistor de canal N IRFP460APBF, TO-247, 500V, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V

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5-24
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25-49
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Transistor de canal N IRFP460APBF, TO-247, 500V, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. C (pol.): 3100pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3100pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Custo): 480pF. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 280W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 20A. IDss (min): 25uA. Id(im): 80A. Marcação do fabricante: IRFP460APBF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFP460APBF
43 parâmetros
Carcaça
TO-247
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
500V
DI (T=100°C)
13A
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.27 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
500V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
45 ns
C (pol.)
3100pF
Capacitância Ciss Gate [pF]
3100pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.27 Ohms @ 12A
Custo)
480pF
Diodo Trr (mín.)
480 ns
Dissipação máxima Ptot [W]
280W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
20A
IDss (min)
25uA
Id(im)
80A
Marcação do fabricante
IRFP460APBF
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
280W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
45 ns
Td(ligado)
18 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tempo de ativação ton [nseg.]
18 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Vishay

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