Transistor de canal N IRFP140, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Transistor de canal N IRFP140, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.62€
5-24
2.22€
25-49
1.95€
50-99
1.77€
100+
1.52€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 66

Transistor de canal N IRFP140, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.077 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1700pF. Custo): 550pF. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 60.4k Ohms. Nota: transistor complementar (par) IRFP9140. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Potência: 180W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 53 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP140
30 parâmetros
DI (T=100°C)
22A
DI (T=25°C)
31A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.077 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
1700pF
Custo)
550pF
Diodo Trr (mín.)
180 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
60.4k Ohms
Nota
transistor complementar (par) IRFP9140
Pd (dissipação de energia, máx.)
180W
Potência
180W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
53 ns
Td(ligado)
11 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Vishay

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