Transistor de canal N IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V. Carcaça: TO-247. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.36 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1900pF. Cobrar: 73.3nC, 110nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 30A, 39A. Custo): 450pF. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 140A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. Polaridade: unipolar. Potência: 160W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 1.1K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 100V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51