Transistor de canal N IRF1010N, TO-220, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220AB, 55V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.11 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3210pF. Cobrar: 80nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 72A. Custo): 690pF. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Função: Transistor N MOSFET. IDss (min): 25uA. Id(im): 290A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Polaridade: unipolar. Potência: 130W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 1.2K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Usado para: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 4 v. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00