Transistor de canal N IRF1010E, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 2800pF. Custo): 880pF. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Função: Troca rápida, resistência ultrabaixa. IDss (min): 25uA. Id(im): 330A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00