Transistor de canal N FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1500pF. Custo): 170pF. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): na. Id(im): 30A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19