Transistor de canal N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V

Transistor de canal N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.69€
5-9
3.30€
10-24
3.05€
25-49
2.85€
50+
2.54€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 16

Transistor de canal N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( 2-10R1B ). Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2040pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 230pF. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. IDss (min): na. Id(im): 40A. Marcação na caixa: K2843. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 190 ns. Td(ligado): 58 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT.MOSV). Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03

Documentação técnica (PDF)
2SK2843
32 parâmetros
DI (T=25°C)
10A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.54 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F ( 2-10R1B )
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
2040pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
230pF
Diodo Trr (mín.)
1300 ns
Função
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
IDss (min)
na
Id(im)
40A
Marcação na caixa
K2843
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
45W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
190 ns
Td(ligado)
58 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT.MOSV)
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Toshiba

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