Transistor de canal N FQPF19N20, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 11.8A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1220pF. Custo): 220pF. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 48A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41