Transistor de canal N FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 12.1A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.14 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 830pF. Custo): 195pF. Diodo Trr (mín.): 208 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 10uA. Id(im): 76A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 135 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41