Transistor de canal N BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor de canal N BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.77€
5-49
1.46€
50-99
1.24€
100+
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Transistor de canal N BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 330pF. Custo): 90pF. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Id(im): 44A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Temperatura: +175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 08:57

Documentação técnica (PDF)
BUZ72A
27 parâmetros
DI (T=100°C)
7A
DI (T=25°C)
11A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.23 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
330pF
Custo)
90pF
Diodo Trr (mín.)
80 ns
Id(im)
44A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
70W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
25 ns
Td(ligado)
10 ns
Tecnologia
Enhancement Mode Power MOSFET Transistor
Temperatura
+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics

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