Transistor de canal N FQP13N10, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 9.05A. DI (T=25°C): 12.8A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.142 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 345pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 100pF. Diodo Trr (mín.): 72 ns. Função: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. IDss (min): 1uA. Id(im): 51.2A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Peso: 2.07g. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 5 ns. Tecnologia: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41