Transistor de canal N BUZ11, TO-220, 50V, 0.03 Ohms, 50V, 19A, 30A, 100uA, TO-220AC, 50V. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 50V. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 100uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tensão Vds(máx.): 50V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 180 ns. C (pol.): 1500pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1500pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Corrente máxima de drenagem: 30A. Custo): 750pF. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 30A. IDss (min): 20uA. Id(im): 60.4k Ohms. Marcação do fabricante: BUZ11. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 08:57