Transistor de canal N IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1960pF. Cobrar: 47.3nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 33A. Custo): 250pF. Diodo Trr (mín.): 115 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 110A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Polaridade: unipolar. Potência: 140W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 1.1K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 100V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:08