Transistor de canal N BUZ102S, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. On-resistência Rds On: 0.018 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): P-TO263-3-2. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1220pF. Custo): 410pF. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS, PowerMosfet. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 08:57