Transistor de canal N BUK455-600B, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Transistor de canal N BUK455-600B, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.75€
5-24
4.13€
25-49
3.67€
50+
3.56€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 14

Transistor de canal N BUK455-600B, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 20uA. On-resistência Rds On: 2.1 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 750pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 90pF. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Função: Power MOSFET SMPS. IDss (min): 2uA. Id(im): 16A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 10 ns. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:31

Documentação técnica (PDF)
BUK455-600B
29 parâmetros
DI (T=100°C)
2.5A
DI (T=25°C)
4A
Idss (máx.)
20uA
On-resistência Rds On
2.1 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
750pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
90pF
Diodo Trr (mín.)
1200 ns
Função
Power MOSFET SMPS
IDss (min)
2uA
Id(im)
16A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
100W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
100 ns
Td(ligado)
10 ns
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) mín.
2.1V
Produto original do fabricante
Philips Semiconductors

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