Transistor de canal N BF245C, TO-92, 25mA, 25mA, TO-92, 30 v

Transistor de canal N BF245C, TO-92, 25mA, 25mA, TO-92, 30 v

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Transistor de canal N BF245C, TO-92, 25mA, 25mA, TO-92, 30 v. Carcaça: TO-92. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 4pF. Corrente de drenagem: 25uA. Custo): 1.6pF. Função: HF-VHF. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Polaridade: unipolar. Potência: 300mW. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura: +150°C. Tensão da fonte de drenagem: 30V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.2V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 22:30

Documentação técnica (PDF)
BF245C
29 parâmetros
Carcaça
TO-92
DI (T=25°C)
25mA
Idss (máx.)
25mA
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
4pF
Corrente de drenagem
25uA
Custo)
1.6pF
Função
HF-VHF
IDss (min)
12mA
IGF
10mA
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
300mW
Polaridade
unipolar
Potência
300mW
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
não
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
Transistor de efeito de campo
Temperatura
+150°C
Tensão da fonte de drenagem
30V
Tensão porta/fonte (desligada) máx.
7.5V
Tensão porta/fonte (desligada) mín.
3.2V
Tensão porta/fonte Vgs
8V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
JFET
Produto original do fabricante
Fairchild

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