Transistor de canal N BF545C, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Transistor de canal N BF545C, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.54€
5-49
0.41€
50-99
0.37€
100+
0.34€
Quantidade em estoque: 1482

Transistor de canal N BF545C, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1.7pF. Custo): 0.8pF. Função: HF-VHF. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 22*. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12mA. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: Transistor de efeito de campo de junção de silício. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.2V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

Documentação técnica (PDF)
BF545C
26 parâmetros
DI (T=25°C)
25mA
Idss (máx.)
25mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
1.7pF
Custo)
0.8pF
Função
HF-VHF
IDss (min)
12mA
IGF
10mA
Marcação na caixa
22*
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
12mA
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
não
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
Transistor de efeito de campo de junção de silício
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte (desligada) máx.
7.8V
Tensão porta/fonte (desligada) mín.
3.2V
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
JFET
Produto original do fabricante
Fairchild