Transistor de canal N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Transistor de canal N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Quantidade
Preço unitário
1-1
12.33€
2-4
12.33€
5-24
10.56€
25-49
9.64€
50+
7.88€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 29

Transistor de canal N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 48A. DI (T=25°C): 48A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 48m Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 8440pF. Custo): 1775pF. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 160A. Marcação na caixa: 88N30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 312W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Mosfet de potência em modo de aprimoramento. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Advanced Power. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25

Documentação técnica (PDF)
AP88N30W
31 parâmetros
DI (T=100°C)
48A
DI (T=25°C)
48A
Idss (máx.)
200uA
On-resistência Rds On
48m Ohms
Carcaça
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3P
Tensão Vds(máx.)
300V
C (pol.)
8440pF
Custo)
1775pF
Diodo Trr (mín.)
300 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
1uA
Id(im)
160A
Marcação na caixa
88N30W
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
312W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
220 ns
Td(ligado)
50 ns
Tecnologia
Mosfet de potência em modo de aprimoramento
Temperatura operacional
-55°C...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4.5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Advanced Power

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