Transistor de canal N IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V
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Transistor de canal N IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 88A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 40m Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 6300pF. Custo): 950pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Função: N-Channel Enhancement Mode. IDss (min): 100uA. Id(im): 220A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 96 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11