Transistor de canal N IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Transistor de canal N IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Quantidade
Preço unitário
1-4
14.40€
5-14
13.34€
15-29
12.55€
30+
11.76€
Quantidade em estoque: 36

Transistor de canal N IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 88A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 40m Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 6300pF. Custo): 950pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Função: N-Channel Enhancement Mode. IDss (min): 100uA. Id(im): 220A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 96 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11

Documentação técnica (PDF)
IXTQ88N30P
30 parâmetros
DI (T=100°C)
75A
DI (T=25°C)
88A
Idss (máx.)
1mA
On-resistência Rds On
40m Ohms
Carcaça
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3P
Tensão Vds(máx.)
300V
C (pol.)
6300pF
Custo)
950pF
Diodo Trr (mín.)
250 ns
Função
N-Channel Enhancement Mode
IDss (min)
100uA
Id(im)
220A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
600W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
96 ns
Td(ligado)
25 ns
Tecnologia
PolarHT Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
2.5V
Produto original do fabricante
IXYS