Transistor de canal N 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. DI (T=100°C): n/a. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.21 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 3400pF. Custo): 320pF. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Função: Aplicações de reguladores de comutação. IDss (min): n/a. Id(im): 80A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 280 ns. Td(ligado): 130 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (MOS VI). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25