Transistor de canal N TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2600pF. Custo): 280pF. Diodo Trr (mín.): 1700 ns. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 80A. Marcação na caixa: K20J50D. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS de efeito de campo (MOSVII). Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:08