Transistor de canal N 2SK3878, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=100°C): 5.3A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2200pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 45pF. Diodo Trr (mín.): 1.4us. Função: Aplicações de reguladores de comutação. IDss (min): 1uA. Id(im): 27A. Marcação na caixa: K3878. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 65 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 25. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:25