Transistor de canal N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor de canal N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.81€
5-9
3.35€
10-24
3.01€
25-49
2.82€
50+
2.51€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 59

Transistor de canal N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 5A. On-resistência Rds On: 1.35 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 550pF. Custo): 70pF. Diodo Trr (mín.): 1400 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 20A. Marcação na caixa: K3563. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

Documentação técnica (PDF)
2SK3563
27 parâmetros
DI (T=100°C)
5A
DI (T=25°C)
5A
Idss
100uA
Idss (máx.)
5A
On-resistência Rds On
1.35 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
550pF
Custo)
70pF
Diodo Trr (mín.)
1400 ns
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
Id(im)
20A
Marcação na caixa
K3563
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
35W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
50 ns
Td(ligado)
20 ns
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSVI)
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Toshiba

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