Transistor de canal N 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1050pF. Custo): 110pF. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 32A. Marcação na caixa: K3561. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 26 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31