Transistor de canal N IRFI840G, 500V, 0.85 Ohms, TO-220FP, 2.9A, 4.6A, 250uA, TO-220F, 500V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 500V. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220FP. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.6A. Idss (máx.): 250uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1300pF. Corrente máxima de drenagem: 4.6A. Custo): 200pF. Diodo Trr (mín.): 340 ns. IDss (min): 25uA. Id(im): 18A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: diodo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51