Transistor de canal N 2SK3176, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. DI (T=100°C): n/a. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 38m Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 5400pF. Custo): 1900pF. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Função: Regulador de modo de comutação, conversor DC-DC, driver de motor. IDss (min): 10uA. Id(im): 60.4k Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 190 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo MOS-V. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03