Transistor de canal N IRFP250N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 2159pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 315pF. Diodo Trr (mín.): 186 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 60.4k Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 214W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 25. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51