Transistor de canal N 2SK2611, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2040pF. Custo): 190pF. Diodo Trr (mín.): 1.6us. Função: High Speed, H.V. Id(im): 27A. Marcação na caixa: K2611. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatura operacional: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31